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揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

華潤(rùn)微推出寬SOA系列MOSFET產(chǎn)品

萃錦半導(dǎo)體籌建碳化硅MOSFET項(xiàng)目月產(chǎn)增至3000片

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開(kāi)關(guān)損耗

納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等大功率場(chǎng)景打造

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

華潤(rùn)微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對(duì)部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價(jià)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

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銀河微電申請(qǐng)SiCMOSFET板級(jí)封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)方法專利，設(shè)計(jì)效率高

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)

納微發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs，促進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心功率提升，加快電動(dòng)汽車充電速度

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

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