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安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競爭優(yōu)勢

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廣電計(jì)量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

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宏微科技：SiC Mos平臺已定型，處于初步量產(chǎn)狀態(tài)

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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

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昆明理工大學(xué)在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

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