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核心部件全部國產(chǎn)！季華實驗室自主研發(fā)6英寸SiC高溫外延裝備獲突破性進(jìn)展

Wolfspeed 200mm SiC 新工廠即將開業(yè)

清純半導(dǎo)體推出首款國產(chǎn)15V驅(qū)動的1200V SiC Mosfet

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動器更高功率密度

安信證券：光伏發(fā)電驅(qū)動功率半導(dǎo)體需求 SiC器件滲透率有望持續(xù)提升

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

上海貝嶺：已開展對SiC等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索

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SiC功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技完成超億元A輪融資

日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報告正式立項

美浦森宣布完成近億元A輪融資，資金將用于SiC器件產(chǎn)品線、IGBT等新產(chǎn)品研發(fā)

羅姆半導(dǎo)體宣布為Lucid Air提供SiC MOSFET

英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%

山東濱州2022年重點項目公布：第三代半導(dǎo)體SiC分立器件項目、汽車半導(dǎo)體分立器件項目.....

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

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基于SiC逆變器的電動汽車永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)研究

SiC器件將逐步替代傳統(tǒng)硅基器件，碳化硅產(chǎn)業(yè)“得材料者得天下”

高溫溶液法生長SiC單晶的研究進(jìn)展

碳化硅（SiC）行業(yè)研究框架：“新能半導(dǎo)”大時代新核“芯”

曝三星正研究用于芯片生產(chǎn)的聚焦環(huán)新材料，考慮用 B4C 替代 SiC

光伏新政落地，SiC產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展光伏市場迎來“風(fēng)口”

晶方科技：2000萬美元投資第三代半導(dǎo)體GaN器件設(shè)計公司VisIC

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

第三代半導(dǎo)體“王炸”產(chǎn)品來襲！比傳統(tǒng)SiC晶圓便宜1-2成即將量產(chǎn)

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

緯湃科技斬獲北美頭部汽車制造商超70億元SiC訂單

國星三代半再出新品，SiC模塊、GaN器件、SiC功率分立器件齊上新

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