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邱宇峰：18 kV SiC IG
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邱宇峰：18 kV SiC IG
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰廈門(mén)大學(xué)講座教授國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院
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limit2022-01-13 09:54
李晉閩：深紫外 LED
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李晉閩：深紫外 LED
《深紫外 LED 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》李晉閩研究員中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-13 09:52
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)》徐現(xiàn)剛教授山東大學(xué)
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limit2022-01-11 17:24
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長(zhǎng)研究》徐科研究員中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
陳景文：高性能深紫外
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陳景文：高性能深紫外
《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長(zhǎng)清單位：武漢光電國(guó)家研究中心，華中科技大學(xué)，湖北深紫科技有限公司
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limit2022-01-10 10:23
朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
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朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛(ài)因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽(yáng)，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學(xué)
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limit2022-01-10 10:21
陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
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陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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limit2022-01-07 15:02
張文輝：升華法生長(zhǎng)β
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張文輝：升華法生長(zhǎng)β
《升華法生長(zhǎng)相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門(mén)大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
唐寧：氮化鎵量子阱中
1800
唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品?，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
720
徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號(hào)
900
張亞民：基于脈沖信號(hào)
《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
9000
limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
1740
劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過(guò)程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
17400
limit2022-01-07 13:47
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
31300
limit2022-01-07 13:31
吳帆正樹(shù)：碳化硅溝槽
1490
吳帆正樹(shù)：碳化硅溝槽
《碳化硅溝槽刻蝕技術(shù)研究進(jìn)展》作者：吳帆正樹(shù)，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍(lán)，張園覽單位：復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院超越照明研究所
14900
limit2022-01-07 13:30
徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
19000
limit2022-01-07 11:50