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中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45

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