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報(bào)告簡介：基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

瑞典隆德大學(xué)教授、瑞典皇家科學(xué)院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對(duì)MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用的精彩

西安交通大學(xué)教授王宏興做了關(guān)于微機(jī)電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報(bào)告。

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報(bào)告。

廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，

中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢(shì)壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢(shì)壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

美國密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應(yīng)用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應(yīng)變工程技術(shù)。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國密歇根大學(xué)電機(jī)工程與計(jì)算機(jī)系副教授。現(xiàn)在KU教授的研究專注在“節(jié)能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！