東莞證券發(fā)布研究報告稱，碳化硅電氣特性優(yōu)越，有望成為最具前景的半導(dǎo)體材料之一。下游新能源汽車、光伏等領(lǐng)域驅(qū)動行業(yè)成長。目前海外龍頭企業(yè)具備先發(fā)優(yōu)勢，國產(chǎn)廠商正加速驗證，政策支持+成本下降背景下，國產(chǎn)替代空間廣闊。

東莞證券主要觀點如下：

　　SiC電氣特性優(yōu)越，有望成為最具前景的半導(dǎo)體材料之一。

　　半導(dǎo)體材料位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最上游，屬于芯片制造與封測的支撐性產(chǎn)業(yè)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的環(huán)節(jié)。近年來，全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模穩(wěn)健增長，而從被研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的先后順序看，半導(dǎo)體材料發(fā)展至今已經(jīng)歷了三個階段。其中，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體，具備耐高壓、耐高溫和低能量損耗等優(yōu)越性能，可以滿足電力電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，有望成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最具前景的材料之一。

　　碳化硅下游應(yīng)用廣泛，新能源汽車、光伏等驅(qū)動行業(yè)成長。

　　SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括上游SiC襯底材料的制備、中游外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用市場。從下游應(yīng)用看，SiC襯底可分為半絕緣性襯底和導(dǎo)電性襯底，其中半絕緣SiC襯底主要用于制作微波射頻器件，用于5G通訊、雷達(dá)等高頻需求領(lǐng)域，導(dǎo)電型襯底則用于制作功率器件，用于新能源汽車、光伏發(fā)電等高壓需求領(lǐng)域。近年來，SiC功率器件在下游應(yīng)用中嶄露頭角，應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的消費電子、工業(yè)控制、電力傳輸、計算機(jī)、軌道交通等領(lǐng)域，擴(kuò)展至新能源汽車、風(fēng)光儲、物聯(lián)網(wǎng)、云計算和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，其中新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的快速發(fā)展給SiC帶來增量需求，驅(qū)動碳化硅行業(yè)不斷成長。據(jù)Yole預(yù)測，到2025年，全球SiC市場規(guī)模將達(dá)到25.60億美元，2019-2025年復(fù)合增速高達(dá)29.53%。

　　政策支持+成本下降，碳化硅國產(chǎn)替代有望加速。

　　近年來，國家陸續(xù)出臺政策鼓勵SiC行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，疊加SiC襯底向大尺寸演進(jìn)，有效提升材料使用率，以及晶棒、襯底良率持續(xù)提升，未來碳化硅器件的生產(chǎn)成本有望持續(xù)下降，預(yù)計在高電壓場景中將先具備替代優(yōu)勢。目前海外廠商在碳化硅領(lǐng)域占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，國內(nèi)企業(yè)仍在起步階段，技術(shù)不斷追趕同時產(chǎn)能尚在爬坡，隨著國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品得到驗證進(jìn)程加速，下游廠商認(rèn)可程度不斷提升，海外企業(yè)與國內(nèi)企業(yè)差距相對縮小，國產(chǎn)替代具備廣闊的市場空間。

（來源： 智通財經(jīng)）