據(jù)外媒報(bào)道，三星電子研究人員日前在該國(guó)舉行的EUV光刻機(jī)生態(tài)體系會(huì)議上表示，到2026年，全球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到242億美元規(guī)模，較今年的12億美元增長(zhǎng)將超20倍。

目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn)3納米芯片的公司，隨著三星電子、臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開(kāi)始引進(jìn)EUV設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計(jì)3納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)。

該位研究員援引研究機(jī)構(gòu)Gartner數(shù)據(jù)稱(chēng)，截至今年年底，在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)最大份額的是5納米和7納米工藝，市場(chǎng)規(guī)模369億美元，未來(lái)其份額將逐步由3納米所取代。他還介紹稱(chēng)，3納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的MBCFET，較FinFET性能功耗有明顯改善。