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2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國(guó)鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

標(biāo)準(zhǔn) | 長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭的3項(xiàng)光治療用柔性LED光源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)史衍麗：1550nm InP/InGaAs 單光子探測(cè)器

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|連科半導(dǎo)體胡動(dòng)力：8/12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展方向

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

突發(fā)！美國(guó)撤銷(xiāo)臺(tái)積電大陸廠半導(dǎo)體設(shè)備豁免

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

第五屆紫外LED大會(huì)暨長(zhǎng)治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)勝利閉幕

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開(kāi)關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

第五屆紫外LED大會(huì)暨長(zhǎng)治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)開(kāi)幕

寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域兩院院士候選人名單

會(huì)議通知 | 2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)將于9月云南舉辦！

禾臣新材料G8.6代光掩膜基板鍍膜設(shè)備正式搬入

智能光子器件封裝測(cè)試平臺(tái)的國(guó)際公開(kāi)招標(biāo)公告

突發(fā)！兩大半導(dǎo)體公司破產(chǎn)！

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所銻化物感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目延期公告

征文延期通知| IFWS & SSLCHINA 2025 征文進(jìn)行時(shí)， IEEE收錄+EI檢索！

IEEE電力電子學(xué)會(huì)(PELS)國(guó)際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)（ITRW）會(huì)議在北京成功舉辦

日程更新| 第五屆紫外LED大會(huì)暨長(zhǎng)治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)8月27-29日召開(kāi)

國(guó)產(chǎn)首臺(tái)28納米關(guān)鍵尺寸電子束量測(cè)量產(chǎn)設(shè)備出機(jī)

杭州誕生首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機(jī)“羲之”

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外交部：對(duì)華芯片出口管制，不符合任何一方利益

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