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中國科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海光機(jī)所在高重頻高功率超快激光器研究取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進(jìn)展

我國取得深海大功率人工源電磁探測技術(shù)新突破

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

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