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簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

復(fù)旦大學(xué)盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測(cè)器方面取得重要研究進(jìn)展實(shí)現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測(cè)率

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中國(guó)科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

華中科技大學(xué)黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

國(guó)際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

日本團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

國(guó)際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國(guó)際首次超越SiC理論極限

中科大在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

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