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NCT成功開發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長法，有望將
氧化鎵襯底
成本降低九成！
NCT
氧化鎵
晶體生長
氧化鎵襯底
90%
評論 ?
2025-12-23 08:53
鎵仁半導體（011）晶面
氧化鎵襯底
片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來
評論 ?
2025-11-08 09:18
鎵仁半導體8英寸
氧化鎵襯底
質(zhì)量檢測結(jié)果揭曉，國際領(lǐng)先！
評論 ?
2025-09-05 09:24
鎵仁半導體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切
氧化鎵襯底
制備
評論 ?
2025-06-25 09:52
杭州鎵仁半導體
氧化鎵襯底
技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管
評論 ?
2024-12-30 07:45
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