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NCT成功開(kāi)發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長(zhǎng)法，有望將氧化鎵襯底成本
降低
九成！
NCT
氧化鎵
晶體生長(zhǎng)
氧化鎵襯底
90%
評(píng)論 ?
2025-12-23 08:53
極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世 能大幅提高能源效率并
降低
半導(dǎo)體制造成本
評(píng)論 ?
2024-08-02 08:56
技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著
降低
評(píng)論 ?
2024-05-06 13:57
日本初創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料 成本
降低
75%
評(píng)論 ?
2024-03-06 13:19
IME 發(fā)布 4 層半導(dǎo)體層 3D 堆疊技術(shù)，可提升效能
降低
成本
評(píng)論 ?
2021-07-21 10:27
碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力
降低
5G基站成本
碳化硅基
氮化鎵
GaN-on-SiC
5G基站
評(píng)論 ?
2020-06-15 11:32
中芯國(guó)際12nm工藝已開(kāi)始試產(chǎn)：功耗
降低
20%、性能提升10%
中芯國(guó)際
12nm
工藝
評(píng)論 ?
2020-05-20 08:31
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