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總投資330億元，燕東微北電集成12英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目工藝設(shè)備搬入

總投資252億元，粵芯半導(dǎo)體12英寸數(shù)模混合特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目（四期）完成備案

電科裝備第二代立式碳化硅涂層裝備工藝迭代升級(jí)

寶士曼田天成：有壓納米銀燒結(jié)工藝量產(chǎn)應(yīng)用實(shí)踐與檢討

上海新陽(yáng)年產(chǎn)5萬(wàn)噸集成電路關(guān)鍵工藝材料及總部、研發(fā)中心項(xiàng)目開(kāi)工

西北首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)

報(bào)告前瞻|光庫(kù)科技鄧劍欽：高可靠性激光芯片封裝工藝介紹

能訊持續(xù)升級(jí)高性能氮化鎵工藝平臺(tái)，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

重慶芯聯(lián)12英寸集成電路特色工藝線通線

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北方華創(chuàng)楊牧龍:化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備及工藝解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

自主突破，九峰山實(shí)驗(yàn)室首發(fā)6英寸InP激光器與探測(cè)器外延工藝

陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

京東方玻璃基先進(jìn)封裝項(xiàng)目工藝設(shè)備正式搬入

總投資50億元芯慧聯(lián)集成電路工藝設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目奠基

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：STO新型制備工藝實(shí)現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

北方華創(chuàng)“半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室”專利公布

CSPSD 2025前瞻|愛(ài)發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

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中微公司發(fā)布首款晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona?，刻蝕關(guān)鍵工藝全覆蓋再進(jìn)一步

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺(tái)方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

芯粵能半導(dǎo)體成功開(kāi)發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)

新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺(tái)

賽微電子：公司已開(kāi)展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開(kāi)發(fā)階段

晶合集成與思特威簽署深化戰(zhàn)略合作協(xié)議，聚焦攻克CIS Stacked工藝瓶頸

北方華創(chuàng)申請(qǐng)工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

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