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SiC技術(shù)重磅突破!瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅
外延
晶片
SiC
瀚天天成
全球
首發(fā)
12英寸
碳化硅
外延
晶片
評(píng)論 ?
2025-12-24 09:03
Science Advances:南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破
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襯底限制,實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜
外延
生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2025-09-08 09:53
自主突破,九峰山實(shí)驗(yàn)室首發(fā)6英寸InP激光器與探測(cè)器
外延
工藝
評(píng)論 ?
2025-08-19 09:36
王新強(qiáng)、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料
外延
范式
評(píng)論 ?
2023-08-25 14:05
中國(guó)科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層
外延
生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2022-06-23 15:13
北大物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質(zhì)
外延
出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜
北大物理學(xué)院
量子材料科學(xué)中心
高鵬研究員
玻璃襯底上
異質(zhì)外延
準(zhǔn)單晶
氮化鎵薄膜
評(píng)論 ?
2021-08-18 11:35
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