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進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)
氧化
鎵
進(jìn)化半導(dǎo)體
無銥工藝
制備
4英寸
010
氧化鎵
評(píng)論 ?
2025-12-23 14:04
西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相
氧化
鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2025-10-31 09:45
新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面
氧化
鎵晶體
評(píng)論 ?
2025-10-14 21:08
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級(jí)高壓
氧化
鎵功率器件研究突破
評(píng)論 ?
2025-09-24 13:21
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基
氧化
鎵熱管理領(lǐng)域 取得突破性進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-09-01 09:04
新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面
氧化
鎵單晶襯底
評(píng)論 ?
2025-06-11 10:49
新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸
氧化
鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
評(píng)論 ?
2025-02-13 10:51
鎵仁半導(dǎo)體
氧化
鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表
評(píng)論 ?
2025-02-11 09:20
國(guó)際上首次！基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)已報(bào)道的最高截止頻率
氧化
鎵射頻器件
評(píng)論 ?
2023-11-08 19:39
新突破！4英寸鑄造法
氧化
鎵單晶研制獲得成功
評(píng)論 ?
2023-08-18 15:32
上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純
氧化
鋁部件方面取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-15 14:27
鄭州大學(xué)物理學(xué)院在
氧化
鎵基日盲光電探測(cè)方面取得進(jìn)展
鄭州大學(xué)
物理學(xué)院
氧化鎵基
日盲光電探測(cè)
評(píng)論 ?
2021-10-26 14:12
日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸
氧化
鎵(Ga2O3) 晶圓
評(píng)論 ?
2021-07-13 10:21
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