半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，進(jìn)化半導(dǎo)體（深圳）有限公司的氧化鎵技術(shù)再次取得重要突破。

通過(guò)提拉工藝和熱場(chǎng)的改進(jìn)，成功基于“無(wú)銥工藝”（PMF-Precious metal Free）制備出直徑110mm 即4英寸 (010)面 β-Ga2O3 摻鐵半絕緣晶體。

這是國(guó)際上首次報(bào)道基于“無(wú)貴金屬”技術(shù)體系達(dá)到4英寸的紀(jì)錄，也是目前國(guó)際上直拉工藝獲得的最大(010)單晶。距此前進(jìn)化半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)2英寸僅時(shí)隔數(shù)月，充分證明進(jìn)化半導(dǎo)體已建立“PMF無(wú)銥工藝”技術(shù)體系，再次彰顯團(tuán)隊(duì)實(shí)力和工藝產(chǎn)業(yè)化潛力。

圖1 4英寸PMF工藝氧化鎵晶體

進(jìn)化半導(dǎo)體 將繼續(xù)推進(jìn)PMF工藝的大口徑化、多晶面化，已制備了科研級(jí)尺寸的(011)面氧化鎵襯底，正在制備2英寸晶圓級(jí)(011)晶面襯底。

進(jìn)化半導(dǎo)體已可供應(yīng)：2英寸及以下尺寸的(100)偏6度、(011)、(010)、(001)等多種晶面的科研級(jí)襯底；HVPE 2英寸氧化鎵同質(zhì)外延片，厚度＞10μm（最高可達(dá)80μm）；HVPE 2英寸藍(lán)寶石基氧化鎵外延片，厚度3~7μm；專用于VB工藝的高純氧化鎵多晶毫米/厘米級(jí)顆粒料，可大幅提升VB和導(dǎo)模法晶體制備效率；