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極鉬芯科技攜手南京大學榮登《Science》！突破二維半導體單晶制備關鍵技術

科友半導體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)關鍵突破

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2025云南晶體大會前瞻|廈門大學盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結構選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

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北京大學許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

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泰科天潤“一種低反向恢復干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開

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沙特KAUST李曉航團隊：STO新型制備工藝實現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

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長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

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蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導體發(fā)光結構及其制備方法專利

全球首創(chuàng)！九峰山實驗室在氮極性氮化鎵材料制備領域取得新突破

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