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香港中文大學（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

比亞迪半導體申請半導體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導體器件專利

中芯集成-U取得半導體器件專利，可更為精確控制電極材料層消耗量

中科光芯高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項目正式啟動

700+入圍企業(yè)揭曉，“2023年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段

益中封裝擴建車規(guī)Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線

中國科學院半導體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工線項目通線投產(chǎn) 總投資10億元

中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

南京大學莊喆：基于外延層殘余應變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

廈門大學張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學游淑珍：面向1200V功率應用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

九峰山實驗室全面布局SiC溝槽器件能力

陽光電源王昊：碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應用和挑戰(zhàn)

大阪公立大學梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應實際器件應用

山大華天遲恩先：SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應用

IFWS 2023│九峰山實驗室袁俊：新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進展

總投資約15億！漢軒車規(guī)級SiC功率器件項目開工

漢軒車規(guī)級功率器件制造項目在徐州開工

賽微電子控股子公司MEMS超高頻器件啟動量產(chǎn)

致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動壓縮機控制器成功下線

賽微電子與子公司擬1.8億元設(shè)合資公司實施MEMS高頻通信器件制造項目

共達電聲擬10.4億元投建電聲元器件及電聲組件生產(chǎn)基地項目

賽微電子：擬與子公司以1.8億元設(shè)合資公司，實施MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項目

IFWS 2023│小鵬汽車楊恒：碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應用

中國科學院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

IFWS 2023│大連理工大學王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS 2023│加拿大Crosslight首席研發(fā)專家Ahmed NASHED：基于半導體激光器件的高級光學建模與仿真

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

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