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IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐 | IFWS2024 前瞻

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對(duì)成熟

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

米家智能小家電拆解匯總：小米的元器件供應(yīng)商都有哪些？

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項(xiàng)目開工奠基

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專利

【南昌光電博覽會(huì)】聚焦半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

元器件采購(gòu)商不想被坑？認(rèn)準(zhǔn)這一招！

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會(huì)前瞻：半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

美國(guó)ITC對(duì)特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查

總投資50億，半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工！

日本航空電子高端電子元器件項(xiàng)目簽約無(wú)錫

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

欣代半導(dǎo)體器件東寶智造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽約

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

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