國家知識產(chǎn)權局信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種半導體器件的制作方法”的專利，公開號 CN 118824953 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導體器件的制作方法，屬于半導體技術領域。所述制作方法包括：提供一襯底，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間形成淺溝槽隔離結構；在襯底上形成開口長邊方向平行于半導體器件溝道寬度方向第一圖案化光阻層，并暴露第一區(qū)域及兩側的部分淺溝槽隔離結構；對第一區(qū)域進行兩次傾斜離子注入，形成第一溝道摻雜區(qū)；重新形成開口長邊方向平行于半導體器件溝道寬度方向第二圖案化光阻層，并暴露第二區(qū)域及部分淺溝槽隔離結構；對第二區(qū)域進行兩次傾斜離子注入，形成第二溝道摻雜區(qū)；在溝道摻雜區(qū)上形成柵極；在柵極兩側形成輕摻雜區(qū)。通過本發(fā)明提供的半導體器件的制作方法，能夠提高半導體器件的性能。