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南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應用

西安電子科技大學劉志宏：面向移動SoC應用的氮化鎵射頻器件研究進展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

日本德島大學教授敖金平：轉換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

韓國Wavice Inc首席技術官Sangmin LEE：i-line步進器實現的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

中國科技大學Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內2DEG電荷的空間非均勻性

IFWS2021：射頻電子器件與應用論壇成功舉行

北京大學物理學院楊學林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

加拿大多倫多大學教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅動器

西交利物浦大學王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-HEMT

南方科技大學深港微電子學院汪青：GaN器件及其系統的最新研究進展

電子科技大學李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

最新進展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

北京大學許福軍：高質量AlN實現路徑探索及深紫外發(fā)光器件應用

廈門大學黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

干貨滿滿！IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應用論壇成功召開！

中科院半導體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

山東大學徐明升：基于金剛石金屬半導體場效應晶體管的日盲探測器

美國康奈爾大學教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術在凈水器中的應用研究

應用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術最新進展

佛智芯副總經理林挺宇：先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應用

復旦大學特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進展

啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)鈕應喜：第三代半導體碳化硅器件產業(yè)化關鍵技術及進展

西安電子科技大學張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展

欣銳科技董事長吳壬華博士：SiC器件在新能源汽車產業(yè)中的應用

技術與應用新進展 SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外器件應用論壇成功舉行

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

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