美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

廣東巨風半導體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利，采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

總投資310億元，星柯先進光電顯示產(chǎn)業(yè)項目高性能載板一號廠房主體封頂

左藍微電子高性能5G射頻濾波器項目啟動

上海壁仞科技取得封裝結構專利，提高散熱性能

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

光谷實驗室研發(fā)出高性能量子點光刻膠

左藍微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

青禾晶元領跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

西安8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產(chǎn)線項目實現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導體生產(chǎn)線項目爭2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學巫江：基于化合物半導體異質(zhì)結的高性能器件設計與制備

晶合集成申請半導體器件專利，提升半導體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導體申請逆導型IGBT功率器件專利，有效抑制負阻效應，提高器件性能

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級大功率UVC-LED器件實驗室效率破9.5%

中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

大阪公立大學梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結構的散熱性能，以適應實際器件應用

量子工程材料如何賦能半導體性能提升？

第2頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部