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蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利,提高半導(dǎo)體外延層的性能

日期:2024-08-29 閱讀:258
核心提示:天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司取得一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,授權(quán)公告號 CN113169227B,申請日期為 20

 天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法“,授權(quán)公告號 CN113169227B,申請日期為 2018 年 9 月。專利摘要顯示,提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底和設(shè)置在襯底上的外延層。外延層的至少一部分摻雜有金屬原子,靠近襯底的外延層的下表面的金屬原子的摻雜濃度高于 1×1017atoms/cm3。

 

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