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長光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利,有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

日期:2024-06-04 閱讀:253
核心提示:天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法,公開號(hào)CN

天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法“,公開號(hào)CN202410534321.3,申請(qǐng)日期為2024年4月。

專利摘要顯示,本申請(qǐng)公開了高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法,其中高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估方法包括:在待測芯片N面電極上設(shè)置窗口;使待測芯片保持工作狀態(tài),待測芯片量子阱有源區(qū)產(chǎn)生自發(fā)輻射;使自發(fā)輻射成像于待測芯片外部;在待測芯片外部通過光譜儀獲取自發(fā)輻射的光譜,得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱溫度的二維分布;在待測芯片外部通過CCD相機(jī)獲取自發(fā)輻射成像的圖像,得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱內(nèi)載流子的二維分布。本申請(qǐng)公開的高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法,能夠獲得分辨率自由調(diào)節(jié)的工作狀態(tài)下待測芯片量子阱內(nèi)溫度與載流子濃度的分布,操作方便,簡單易行,有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度。

(來源:金融界)

 

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