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中電南方國基集團李士顏：功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進展及應(yīng)用

浙江大學與沐曦集成電路共建研究中心，目標高性能GPU芯片國產(chǎn)替代

湖南大學半導體先進制造研究院落地無錫

華為戰(zhàn)略研究院院長徐文偉：邁向智能世界2030的九大技術(shù)挑戰(zhàn)與研究方向

2020年半導體行業(yè)砷化鎵、碳化硅專題研究

補研發(fā)短板強產(chǎn)業(yè)鏈條煙臺新型半導體技術(shù)研究院明年投用

大力開展集成電路等標準的研究制定工信部發(fā)布工業(yè)和信息化標準工作要點

研究機構(gòu)預計今年全球智能手機出貨量同比增長5.5% 5G占40%

新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究進展

半導體行業(yè)聯(lián)名“上書”要補貼呼吁拜登為半導體制造研究提供資金

我國在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重大突破

微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進展

功率半導體行業(yè)研究：景氣向上，國產(chǎn)化替代正當時

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進展

深圳第三代半導體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設(shè)計

華北電力大學李學寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

中山大學黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學特性的影響研究

中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型HEMT電力電子器件

南方科技大學于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

中國電科十三所王元剛：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究

上海光學精密機械研究所夏長泰:極寬禁帶半導體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實踐與思考

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所吳林楓：基于自隔離鍵合技術(shù)的大功率倒裝芯片單片集成發(fā)光二極管

中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵HEMT的失效分析研究

南方科技大學汪青：Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

中電化合物半導體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進展

河北半導體研究所周幸葉：紫外探測用高性能4H-SiC雪崩光電二極管及其陣列

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒：鋁鎵氮深紫外量子阱及LED，斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究

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