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2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂(lè)：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所銻化物感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目延期公告

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

2025年新增批次海外優(yōu)青：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所誠(chéng)邀您申報(bào)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘啟事

【年薪可達(dá)50萬(wàn)】廈門(mén)大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組2025年誠(chéng)聘博士后（理論計(jì)算模擬方向）

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國(guó)際科技合作基地”

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強(qiáng)教育研究合作，助力推動(dòng)碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

[誠(chéng)邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開(kāi)

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)多項(xiàng)碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

臺(tái)積電-東京大學(xué)實(shí)驗(yàn)室啟用，雙方聯(lián)手推動(dòng)半導(dǎo)體研究和教育

工業(yè)和信息化部專(zhuān)題研究部署推動(dòng)人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開(kāi)琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

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