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全國最大碳化硅晶圓廠在光谷投產(chǎn)，每年可為144萬輛新能源車供應“心臟”

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項目主體結(jié)構封頂

A-STAR推出全球首個工業(yè)級200毫米碳化硅開放研發(fā)生產(chǎn)線

國產(chǎn)碳化硅企業(yè)基本半導體，遞表港交所！

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CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

總投資55億！碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目落地內(nèi)蒙古

滬硅產(chǎn)業(yè)披露重組草案，70.4億收購三公司股權

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領——化學氣相法碳化硅襯底技術創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

臨港公示新昇半導體300mm硅片項目設計方案

總投資8.5億元，光電子集成高端硅基晶圓制造中心項目封頂

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

泰科天潤“一種超結(jié)快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術授權協(xié)議

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

ULVAC中國總裁楊秉君：車規(guī)級碳化硅市場發(fā)展正當時，將持續(xù)深耕中國市場

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

湖北迅盛50億元硅烷項目獲批！

碳化硅外延供應商瀚天天成沖刺港交所

2025新能源汽車增速拐點將至，碳化硅行業(yè)亟需開辟第二戰(zhàn)場

魯晶半導體與山東大學共建碳化硅功率器件產(chǎn)學研合作新生態(tài)

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