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瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

芯粵能半導體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術之發(fā)展與挑戰(zhàn)

Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技術平臺

清純半導體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

森國科申請 MOSFET 結構相關專利，降低飽和電流

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器

泰科天潤“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權

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IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項 SiC MOSFET測試與可靠性標準發(fā)布

華虹半導體“低壓超結MOSFET的工藝方法”專利公布

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法專利，方法制作工藝簡單

上海華虹宏力申請接觸孔自對準的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利，采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術標準形成委員會草案

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

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