國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法”的專利，公開號CN 118824858 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法。涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟1，提供N+型SiC襯底，并在N+型SiC襯底上生長N型SiC外延層；步驟2，在N型SiC外延層上通過主溝槽高濃度P+型離子注入，形成主溝槽Pplus屏蔽層；步驟3，在N型SiC外延層上通過主溝槽P型離子注入，形成主溝槽Pwell阱區(qū)；步驟4，在N型SiC外延層上通過主溝槽高濃度N+型離子注入，形成主溝槽Nplus區(qū)；步驟5，在N型SiC外延層上通過次溝槽高濃度P+型離子注入，形成次溝槽Pplus屏蔽層；步驟6，在N型SiC外延層上通過次溝槽P型離子注入，形成次溝槽Pwell阱區(qū)；本發(fā)明方法制作工藝簡單，效果顯著，不僅適用于新型SiC MOSFET功率器件的制造，同樣適用于Si，GaN基等半導(dǎo)體器件的制造。