國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件及制備方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 119133234 A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

專利摘要顯示，一種提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件及制備方法。涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括如下步驟：S100，在N +襯底層外延生長(zhǎng)形成N外延層，并通過(guò)離子注入在N外延層頂部形成PW區(qū)；S200，對(duì)PW區(qū)頂面進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)柵極溝槽區(qū)；S300，在PW區(qū)內(nèi)次注入形成第一P+區(qū)、第二P+區(qū)、第一N+區(qū)和第二N+區(qū)；S400，在第一P+區(qū)上刻蝕源極溝槽區(qū)，并在源極溝槽區(qū)側(cè)壁形成歐姆接觸合金，與源極溝槽兩側(cè)的P+區(qū)形成歐姆接觸；S500，在柵極溝槽區(qū)側(cè)壁和槽底淀積一層?xùn)叛鯇樱⑼ㄟ^(guò)Poly層填充，作為柵電極引出；S600，在N外延層上依次形成隔離介質(zhì)層、歐姆接觸合金層、肖特基金屬層和正面電極金屬層。本發(fā)明抑制了柵氧化層處的峰值電場(chǎng)，可以改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性問(wèn)題。