天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN221960977U，授權(quán)公告日為2024年11月5日，申請(qǐng)日為2024年3月18日。

本實(shí)用新型提供了一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET，超結(jié)區(qū)內(nèi)設(shè)有漂移層，超結(jié)區(qū)及漂移層連接至碳化硅襯底；溝道區(qū)內(nèi)設(shè)有掩蔽層，溝道區(qū)以及掩蔽層連接至漂移層；隔離區(qū)連接至掩蔽層；源區(qū)連接至隔離區(qū)；第一柵極絕緣層連接至掩蔽層，第一柵極絕緣層內(nèi)設(shè)有第一溝槽；第一源極金屬層分別連接超結(jié)區(qū)以及溝道區(qū)；第二柵極絕緣層分別連接第一源極金屬層、隔離區(qū)以及源區(qū)；第二柵極絕緣層內(nèi)設(shè)有第二溝槽；第二源極金屬層分別連接第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層以及源區(qū)；第一柵極金屬層設(shè)于第一溝槽內(nèi)；第二柵極金屬層設(shè)于第二溝槽內(nèi)；漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底，提高了柵控能力，降低了器件的導(dǎo)通電阻。