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小米手機射頻團隊論文入選 IEDM 2025，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器

蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

深圳平湖實驗室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

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總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目封頂

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華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

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宜興中車時代中低壓功率器件項目首臺光刻機搬入

CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龍：ICT?場景下中低壓?(<200V) GaN?器件應(yīng)用挑戰(zhàn)

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）項目一期預(yù)計9月部分竣工投產(chǎn)

首臺基于國產(chǎn)ＳiC-MOSFET的低壓配電網(wǎng)柔性調(diào)控裝置投運

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目開工一期投資近 59 億元產(chǎn)品主要用于新能源汽車領(lǐng)域

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Diodes推出低壓差穩(wěn)壓器，提供小尺寸的高 PSRR，適用于噪聲敏感型產(chǎn)品應(yīng)用

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