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第四代半導體迎來新進展相關A股公司搶抓“新風口”

新進展！西安交通大學實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底量產

山東粵海金成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片

北京大學教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

易美新創(chuàng)劉國旭：單晶藍綠雙波長LED在寬色域背光應用的研究

合肥世紀金芯與湖南S公司達成戰(zhàn)略合作，圍繞SiC單晶襯底展開合作

年合作金額達2億以上！合肥世紀金芯與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進展

IFWS 2023│晶格領域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長技術研究

三一朔州二期超薄單晶硅片項目首片下線

廣州粵升液相法SiC單晶爐批量出貨

IFWS 2023│南京大學修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

IFWS 2023│中國科學院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

粵海金半導體順利研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片

海納半導體硅單晶生產基地項目快速推進

鎵和半導體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

總投資34.57億元！新增年產70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目

世紀金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭投資近35億元

論文推介丨山東大學 · Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

麥迪科技與宇澤半導體簽訂單晶硅片采購協(xié)議預計協(xié)議金額合計約21.25億元

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導體單晶材料外延范式

山東大學陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術

西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術

CASICON西安站前瞻|西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

中科院科學家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進展

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