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西安電子科技大學劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進展

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

中國科技大學Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

IFWS2021：射頻電子器件與應(yīng)用論壇成功舉行

北京大學物理學院楊學林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

南方科技大學深港微電子學院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

電子科技大學李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

最新進展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

北京大學許福軍：高質(zhì)量AlN實現(xiàn)路徑探索及深紫外發(fā)光器件應(yīng)用

廈門大學黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

干貨滿滿！IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇成功召開！

美國康奈爾大學教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

應(yīng)用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)最新進展

佛智芯副總經(jīng)理林挺宇：先進封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用

復(fù)旦大學特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進展

啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進展

西安電子科技大學張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展

欣銳科技董事長吳壬華博士：SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

技術(shù)與應(yīng)用新進展 SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外器件應(yīng)用論壇成功舉行

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：碳化硅功率器件論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固態(tài)紫外器件應(yīng)用論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：射頻電子器件與應(yīng)用論壇最新日程出爐

芯導(dǎo)科技募資加強功率器件與IC研發(fā)，抓緊第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展機遇

國星光電：公司Micro LED芯片實現(xiàn)小批量供貨已開展GaN功率器件研發(fā)工作

IFWS 2021：射頻電子器件與應(yīng)用論壇將于12月6日召開！

IFWS 2021前瞻：中國電科首席科學家馮志紅將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

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