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CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術

美國海關宣布對消費電子、服務器、半導體器件等20項商品豁免關稅

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

魯晶半導體與山東大學共建碳化硅功率器件產(chǎn)學研合作新生態(tài)

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

聞泰科技：公司預計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

冠石科技顯示器件募投項目結項，將向光掩膜版項目增資1.33億元

國星光電：子公司風華芯電氮化鎵器件實現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

上海光通信申請半導體結構相關專利，縮小半導體結構線寬提高器件密度

會議通知| 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開

中芯北方取得半導體器件及其形成方法專利

中國科學院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領域取得新進展

清華大學化學系馬冬昕團隊開發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點深紅光器件

中信證券：建議關注SiC器件領軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領域取得重要進展

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應用中的可靠性

先導科技半導體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目預計10月竣工！

“2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”獲獎榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

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