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報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術在電驅(qū)系統(tǒng)的應用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進半導體申請功率器件及相關專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術之發(fā)展與挑戰(zhàn)

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

杭州士蘭微電子取得半導體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導體薄膜電子器件研究成果

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結器件突破

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達產(chǎn)

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

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