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招賢納士 | 復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所誠聘博士后研究人員

比亞迪半導(dǎo)體申請終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

CASICON 成都站│2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）4月見！

精進(jìn)電動：2024年計(jì)劃開始量產(chǎn)出口歐洲的碳化硅控制器

清溢光電：與國內(nèi)重點(diǎn)IC Foundry、功率半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域企業(yè)均建立深度合作關(guān)系

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

希爾電子碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn)，新項(xiàng)目廠房下半年將投用

功率半導(dǎo)體器件企業(yè)希爾電子新項(xiàng)目大樓下半年將投用

“2023年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”獲獎榜單重磅公布！

山東大學(xué)郝曉濤團(tuán)隊(duì)在有機(jī)半導(dǎo)體光伏器件物理研究中取得新進(jìn)展

東微半導(dǎo)申請氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

揚(yáng)杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

比亞迪半導(dǎo)體申請逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

中晶科技：高端分立器件和超大規(guī)模集成電路用單晶硅片項(xiàng)目進(jìn)展順利，當(dāng)前處于爬坡上量階段

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

芯導(dǎo)科技申請TrenchMOSFET器件的自對準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

士蘭微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“功率半導(dǎo)體器件及其制造方法”

重慶研究院發(fā)展出仿生“視聽”光電探測器

武漢新芯“半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利公布

晶隆半導(dǎo)體材料及器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

中芯國際“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團(tuán)隊(duì)研發(fā)基于全無機(jī)鈣鈦礦的多功能集成光子器件

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

常州國家高新區(qū)發(fā)布十佳重點(diǎn)項(xiàng)目，宏微新型功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目上榜

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

碳化硅功率器件公司至信微電子獲深重投及深高新投投資

長飛光學(xué)與半導(dǎo)體石英元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目封頂

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