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東微半導(dǎo)申請氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

比亞迪半導(dǎo)體申請逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負阻效應(yīng)，提高器件性能

中晶科技：高端分立器件和超大規(guī)模集成電路用單晶硅片項目進展順利，當前處于爬坡上量階段

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

芯導(dǎo)科技申請TrenchMOSFET器件的自對準的制備方法專利，進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

士蘭微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“功率半導(dǎo)體器件及其制造方法”

重慶研究院發(fā)展出仿生“視聽”光電探測器

武漢新芯“半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利公布

晶隆半導(dǎo)體材料及器件產(chǎn)業(yè)化項目開工

中芯國際“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

常州國家高新區(qū)發(fā)布十佳重點項目，宏微新型功率半導(dǎo)體器件項目上榜

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應(yīng)用

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

新進展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

碳化硅功率器件公司至信微電子獲深重投及深高新投投資

長飛光學(xué)與半導(dǎo)體石英元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目封頂

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

湖畔光芯硅基OLED微型顯示器一期項目封頂

91.9萬人次參與投票，“2023年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”專家評審進行中

量子半導(dǎo)體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應(yīng)

江蘇誠盛科技麒思大功率器件項目發(fā)布今年量產(chǎn)

新聲半導(dǎo)體射頻濾波器芯片項目在蘇州高新區(qū)開工奠基

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

投資9億元！誠盛科技—麒思大功率器件項目8月量產(chǎn)

華為公司申請功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

成果｜碳化硅晶片+蜂巢傳動逆變器+碳化硅電力電子變壓器+AMOLED量產(chǎn)線

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