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中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

IFWS2021：射頻電子器件與應(yīng)用論壇成功舉行

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動器

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機(jī)理研究

最新進(jìn)展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

北京大學(xué)許福軍：高質(zhì)量AlN實(shí)現(xiàn)路徑探索及深紫外發(fā)光器件應(yīng)用

廈門大學(xué)黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

干貨滿滿！IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇成功召開！

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

山東大學(xué)徐明升：基于金剛石金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的日盲探測器

美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

應(yīng)用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

佛智芯副總經(jīng)理林挺宇：先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用

復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學(xué)王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展

欣銳科技董事長吳壬華博士：SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

技術(shù)與應(yīng)用新進(jìn)展 SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外器件應(yīng)用論壇成功舉行

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：碳化硅功率器件論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固態(tài)紫外器件應(yīng)用論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：射頻電子器件與應(yīng)用論壇最新日程出爐

環(huán)旭電子：預(yù)計(jì)在2022年正式量產(chǎn)用于電動車逆變器的IGBT與SiC的功率模組

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