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鎵仁半導體夏寧:
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氧化鎵單晶生長及缺陷
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2025-12-09 14:05
激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升!國創(chuàng)中心(蘇州)
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碳化硅激光切割技術取得突破性進展
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2025-10-29 16:46
2025云南晶體大會前瞻|山東大學張雷 :
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氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展
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2025-09-18 16:28
2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學:
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紅外鍺單晶的研究進展
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2025-09-10 15:24
2025云南晶體大會前瞻|天科合達劉春?。?span id="rvlvzdj" class="highlight">大尺寸碳化硅襯底和外延產(chǎn)業(yè)進展
評論 ?
2025-09-10 15:17
格棋化合物半導體宣布將進軍
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碳化硅布局
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2025-09-05 09:06
天岳先進開啟招股,擬募資約18億擴張
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SiC襯底產(chǎn)能
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2025-08-12 18:37
安徽聯(lián)效
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半導體級單晶硅棒生產(chǎn)項目10月投產(chǎn)
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2025-07-30 10:54
肥東
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半導體級單晶硅棒項目將投產(chǎn)
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2025-07-29 15:00
國家重點研發(fā)計劃“
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氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開
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2025-07-07 16:02
刷新紀錄!鄭州大學實現(xiàn)
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高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長
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2025-06-06 09:24
鎵特半導體取得一種HVPE
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氮化鎵晶圓鎵舟反應器專利,能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸
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2025-03-31 10:38
日企研發(fā)出全球最
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金剛石基板
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2025-03-31 10:09
天通銀廈康森:
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藍寶石晶圓技術發(fā)展及其在半導體領域的應用?|CASICON重慶站
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2025-03-06 15:47
鎵仁半導體董事長張輝:
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高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站
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2025-03-04 16:48
江蘇集芯申請
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碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利,保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致
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2024-10-21 10:06
國內(nèi)首臺超
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鈣鈦礦高速激光刻蝕成套設備發(fā)布
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2024-08-15 17:55
CASICON晶體大會前瞻|北京中電科電子裝備劉國敬:先進Grinding設備及工藝助力
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SiC量產(chǎn)
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2024-06-13 15:26
南京大學成功研發(fā)出
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碳化硅激光切片設備與技術
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2024-05-07 14:10
南京大學成功研發(fā)出
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碳化硅激光切片設備與技術
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2024-04-30 10:06
云和縣
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碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行
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2024-03-20 15:27
百識電子完成A+輪融資,加速耐高壓、
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第三代半導體外延布局
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2024-03-11 16:25
北京大學申請
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高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法專利,提高整個異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導率
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2024-03-06 10:13
北京大學教授于彤軍:
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AlN單晶生長研究
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2023-12-27 13:55
IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學楊祥龍:
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SiC單晶的研究進展
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2023-12-18 11:52
山東大學陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本
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單晶閃爍體
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2023-08-25 13:56
中國電科46所霍曉青:面向氧化鎵功率器件的
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氧化鎵單晶材料技術
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2023-08-01 15:55
西安華合德新材料李灝文:面向低成本碳化硅功率器件用
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SiC 單晶技術
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2023-08-01 11:27
盛鑫半導體:
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硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設備入場
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2023-06-19 11:54
【CASICON 2023】特思迪半導體孫占帥:先進拋光技術助力量產(chǎn)型
大尺寸
碳化硅制造
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2023-05-08 11:36
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