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鎵特半導體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利,能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

日期:2025-03-31 閱讀:257
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,鎵特半導體科技(銅陵)有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利,授權(quán)公告號CN

 國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,鎵特半導體科技(銅陵)有限公司取得一項名為“一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器”的專利,授權(quán)公告號CN 222684835 U,申請日期為2024年3月。

專利摘要顯示,本實用新型公開了一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器,包括:鎵舟;鎵反應(yīng)室;主進氣管;副進氣口;氣體流通口,所述氣體流通口開設(shè)在多層反應(yīng)室內(nèi)除最底層的其余反應(yīng)室內(nèi);鎵反應(yīng)出口,所述鎵反應(yīng)出口開設(shè)在鎵反應(yīng)室的底部;混合室,所述混合室設(shè)置在鎵舟內(nèi)部且位于鎵反應(yīng)室的底部;反應(yīng)主出口,所述反應(yīng)主出口開設(shè)在混合室的底部中央?yún)^(qū)域;反應(yīng)副出口,所述反應(yīng)副出口開設(shè)在混合室的底部邊緣區(qū)域;主出氣管,所述主出氣管一端與混合室的底部連接將反應(yīng)主出口和反應(yīng)副出口分隔,另一端與鎵舟的底部中央連通;副出氣管。本實用新型的有益效果是主副出氣管排出的氣體,都能夠均勻的在襯底表面沉積,可以提升氮化鎵晶圓片生長尺寸。

天眼查資料顯示,鎵特半導體科技(銅陵)有限公司,成立于2017年,位于銅陵市,是一家以從事研究和試驗發(fā)展為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本42000萬人民幣,實繳資本4500萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,鎵特半導體科技(銅陵)有限公司參與招投標項目11次,專利信息31條,此外企業(yè)還擁有行政許可14個。

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