作為第四代半導(dǎo)體材料，氧化鎵具有超寬禁帶（4.8eV）和超高擊穿電場強(qiáng)度（8MV/cm），在耐高壓、耐高溫、高頻和抗輻射等性能上優(yōu)勢明顯。其獨(dú)特的紫外透過特性（透過率超80%）和相對低廉的制備成本，進(jìn)一步拓寬了應(yīng)用場景。短期突破國防材料極端場景，長期將賦能千億民用市場。

近日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門召開。 

期間，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官夏寧受邀參會，并在“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會上帶來了《大尺寸氧化鎵單晶生長及缺陷》的主題報告，分享了氧化鎵單晶生長技術(shù)，提拉、鑄造及VB單晶生長研發(fā)，氧化鎵的缺陷研究等內(nèi)容。氧化鎵晶體生長面臨著高溫下氧化鎵易揮發(fā)分解，需含氧的生長環(huán)境； 高熔點(diǎn)+氧化生長環(huán)境，坩堝選擇余地小，且需重新開發(fā)生長裝備及技術(shù)；導(dǎo)熱差+自由載流子吸收強(qiáng)，固液界面極不穩(wěn)定等挑戰(zhàn)。

氧化鎵晶體生長方法種類繁多：目前浮區(qū)和冷坩堝法看不到產(chǎn)業(yè)可能；提拉法由于尺寸放大等問題，難以規(guī)模化應(yīng)用；現(xiàn)階段主要做的導(dǎo)模法，由于成本等問題，在規(guī)模產(chǎn)業(yè)化上無競爭力；鑄造和VB法在尺寸、成本、質(zhì)量等諸多方面，均展現(xiàn)出規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的極大潛力。 報告詳細(xì)介紹了提拉法生長氧化鎵、鑄造法生長氧化鎵、布里奇曼法生長氧化鎵的研究進(jìn)展。研究開發(fā)的鑄造法等技術(shù)已成功實(shí)現(xiàn)多種晶向，不同摻雜，大尺寸（8英寸）氧化鎵晶體的生長，可滿足各種外延，器件需求。根據(jù)測算，現(xiàn)有技術(shù)量產(chǎn)后就可以將8英寸襯底成本做到2000元以下，進(jìn)一步降低成本將會在2~3年內(nèi)完成，為產(chǎn)業(yè)提供高質(zhì)量、廉價襯底。高質(zhì)量、低成本的襯底可以輔助同行攻克一些關(guān)鍵問題，比如大尺寸外延、缺陷行為、p型摻雜、大面積大電流器件。氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將逐漸加速，襯底、外延、器件、應(yīng)用的結(jié)合應(yīng)更為緊密，實(shí)現(xiàn)超越。 

企業(yè)簡介

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，已建成以中國科學(xué)院院士為首席顧問，具備豐富行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的研發(fā)、生產(chǎn)、運(yùn)營團(tuán)隊(duì)。公司開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術(shù)，獲得14項(xiàng)國際、國內(nèi)發(fā)明專利，打破了西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導(dǎo)體立足于解決國家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，努力為我國的電力電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供產(chǎn)品保障。鎵仁半導(dǎo)體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法等單晶生長新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶襯底和晶圓級(010)單晶襯底的生產(chǎn)技術(shù)突破，并開發(fā)了首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設(shè)備。公司已掌握氧化鎵生長、加工、外延等全鏈條的核心技術(shù)，為客戶提供擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的大尺寸高質(zhì)量氧化鎵產(chǎn)品及設(shè)備。

產(chǎn)品：VB法氧化鎵長晶設(shè)備

產(chǎn)品：8英寸氧化鎵襯底

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）