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標(biāo)準(zhǔn) | 3項(xiàng)SiC MOSFET&2項(xiàng)材料相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2026-01-09 17:35
八部門(mén)聯(lián)合印發(fā)《“人工智能+制造”專(zhuān)項(xiàng)行動(dòng)實(shí)施
意見(jiàn)
》
人工智能
制造
專(zhuān)項(xiàng)行動(dòng)
實(shí)施
意見(jiàn)
芯片
評(píng)論 ?
2026-01-08 14:20
全鏈條補(bǔ)貼!《廈門(mén)市促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》公開(kāi)征求
意見(jiàn)
全鏈條補(bǔ)貼
廈門(mén)市
集成電路
產(chǎn)業(yè)發(fā)展
若干措施
評(píng)論 ?
2025-12-10 15:23
廈門(mén)發(fā)布集成電路“全鏈條"補(bǔ)貼征求
意見(jiàn)
稿!
廈門(mén)
集成電路
全鏈條
補(bǔ)貼
征求意見(jiàn)稿
MPW流片
評(píng)論 ?
2025-12-10 09:25
國(guó)務(wù)院辦公廳印發(fā)《關(guān)于加快場(chǎng)景培育和開(kāi)放推動(dòng)新場(chǎng)景大規(guī)模應(yīng)用的實(shí)施
意見(jiàn)
》
評(píng)論 ?
2025-11-28 16:12
標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-05-20 14:08
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-05-20 13:54
工業(yè)和信息化部等九部門(mén)印發(fā)《關(guān)于加快推進(jìn)科技服務(wù)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施
意見(jiàn)
》
評(píng)論 ?
2025-05-19 14:26
意見(jiàn)
征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-05-07 11:32
意見(jiàn)
征集 | 中科院長(zhǎng)光所牽頭的3項(xiàng)面向光治療的柔性LED光源標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-05-06 16:42
標(biāo)準(zhǔn) |中科院長(zhǎng)光所牽頭的3項(xiàng)面向光治療的柔性LED光源標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-04-29 17:25
標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-04-29 17:23
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2025-04-29 17:20
標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2025-03-25 15:24
UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法征求
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2025-02-07 15:52
2項(xiàng)AlN拋光片測(cè)試方法征求
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2025-02-07 15:31
江蘇印發(fā)南京江北新區(qū)建設(shè)
意見(jiàn)
,圍繞第三代半導(dǎo)體等未來(lái)產(chǎn)業(yè)方向
評(píng)論 ?
2025-01-16 11:47
六部門(mén)聯(lián)合印發(fā)促進(jìn)數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展指導(dǎo)
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2025-01-03 15:42
標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2024-08-02 16:54
標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2024-08-02 16:51
標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2024-07-26 11:03
SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2024-07-22 13:51
山東視聽(tīng)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展
意見(jiàn)
發(fā)布,提及Micro/MiniLED
評(píng)論 ?
2024-07-18 10:29
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2024-04-22 15:07
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2024-04-16 15:54
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求
意見(jiàn)
稿
評(píng)論 ?
2024-04-07 19:21
中荷雙方重點(diǎn)就光刻機(jī)輸華和加強(qiáng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作等議題深入交換
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2024-03-28 15:43
七部門(mén)聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于推動(dòng)未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實(shí)施
意見(jiàn)
》 前瞻部署未來(lái)材料新賽道
評(píng)論 ?
2024-01-29 17:20
工信部、國(guó)家發(fā)改委聯(lián)合印發(fā)《制造業(yè)中試創(chuàng)新發(fā)展實(shí)施
意見(jiàn)
》
評(píng)論 ?
2024-01-23 15:13
工信部公開(kāi)征集對(duì)《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版和38項(xiàng)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的
意見(jiàn)
評(píng)論 ?
2023-11-16 11:36
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