由忱芯科技（上海）有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET 功率模塊有功對拖測試方法》、T/CASAS 064—202X《應(yīng)用于SiC MOSFET 功率器件動態(tài)測試回路雜感測試方法》、T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-濕度-溫度循環(huán)試驗(yàn)方法》。 

由賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 068—202X《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》。 

由山東大學(xué)牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 069—202X《半導(dǎo)體晶片激光刻字深度的測定 白光干涉法》。 

上述5項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制，5項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2026年1月9日起開始征求意見，截止日期2026年2月8日。 

T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET功率模塊有功對拖測試方法》描述了新能源主驅(qū)逆變器采用的兩電平SiC MOSFET功率模塊、光伏儲能風(fēng)電變流器采用的三電平SiC MOSFET功率模塊有功對拖測試方法，包括：試驗(yàn)裝置、試驗(yàn)程序以及失效判據(jù)。 

本文件適用于Si IGBT模塊的有功對拖輸出測試、SiC MOSFET模塊的有功對拖輸出測試、Si IGBT、SiC MOSFET混合模塊的有功對拖輸出測試以及ANPC、INPC、TNPC等拓?fù)潆娏鞯挠泄ν陷敵鰷y試。 

T/CASAS 064—202X《應(yīng)用于SiC MOSFET功率器件動態(tài)測試回路雜感測試方法》描述了雙脈沖測試條件下對應(yīng)用于SiC MOSFET功率器件動態(tài)測試回路雜感測試的術(shù)語和定義、符號、測試電路、測試條件、測試儀器、測試方法、計(jì)量方法等相關(guān)內(nèi)容。 

本文件適用于分立器件和功率模塊等封裝SiC MOSFET功率器件的開關(guān)動態(tài)測試與評估，對于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他類型的SiC晶體管功率器件，可參照本文件執(zhí)行。 

T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-濕度-溫度循環(huán)試驗(yàn)方法》描述了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）交流-濕度-溫度循環(huán)試驗(yàn)方法，包括：試驗(yàn)裝置、試驗(yàn)程序以及失效判據(jù)。 

本文件適用范圍：SiC MOSFET分立功率器件，功率模塊。  

T/CASAS 068—202X《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》規(guī)定了碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)識、包裝、運(yùn)輸和貯存等。 

本文件適用于純度要求達(dá)到5 N 5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995 %）以上的碳化硅單晶生長及外延用各向同性多孔石墨材料，以及用該材料制作的多孔石墨構(gòu)件等。

T/CASAS 069—202X《半導(dǎo)體晶片激光刻字深度的測定 白光干涉法》描述了半導(dǎo)體晶片激光刻字深度的白光干涉檢測方法，包括原理、試驗(yàn)條件、儀器設(shè)備、樣品、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理、精密度和測量不確定度以及報(bào)告。 

本文件適用于采用白光干涉技術(shù)對包括切割片、研磨片和拋光片在內(nèi)的半導(dǎo)體晶片（含硅、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等）的激光刻字深度的測量。 

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）