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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專(zhuān)利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專(zhuān)利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，提高散熱性能

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專(zhuān)利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專(zhuān)利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

福建泓光半導(dǎo)體材料取得一種光刻膠自動(dòng)過(guò)濾裝置專(zhuān)利，提高工作效率

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專(zhuān)利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

全新 EVG?880 LayerRelease? 離型層系統(tǒng)將半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移技術(shù)產(chǎn)量提高一倍

長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專(zhuān)利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體專(zhuān)利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專(zhuān)利，提高了老化效率，加速了雙極退化

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會(huì)在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

北京大學(xué)申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專(zhuān)利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)晶圓級(jí)封裝方法專(zhuān)利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專(zhuān)利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專(zhuān)利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專(zhuān)利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，改善電阻Rc并提高良率

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)：2030年美國(guó)芯片在全球市場(chǎng)份額提高到20%

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

華為公司申請(qǐng)功率器件專(zhuān)利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專(zhuān)利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

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