隨著全球能源結構轉型與電子設備向高功率、高可靠性升級，第四代半導體材料憑借卓越性能成為產(chǎn)業(yè)焦點。其中，氧化鎵以4.9eV超寬禁帶、8MV/cm高擊穿電場的獨特優(yōu)勢，被視為解決高壓、高頻、高溫應用場景痛點的 “關鍵材料”。2025年11月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）依托深厚技術積累，正式推出（011）晶面氧化鎵襯底片新品，持續(xù)為產(chǎn)業(yè)突破提供核心支撐。
一、核心性能拉滿，定義襯底品質新標桿
新品β-Ga2O3（011）晶面襯底片可提供10mm*10.5mm及10mm*15mm兩種精準尺寸，短邊定位 [100] 晶向，帶來更穩(wěn)定的器件制備基礎。
在關鍵性能指標上，產(chǎn)品實現(xiàn)全面突破：
性能檢測卓越
10mm*10.5mm尺寸（011）晶面襯底在XRD檢測中雙曲線搖擺曲線半高寬僅為32.1arc sec,晶體取向分布集中；峰位為35.29°，非常接近理論值35.148°。產(chǎn)品以優(yōu)異表現(xiàn)從根源上保障器件長期運行穩(wěn)定性。
表面質量頂尖
襯底片表面質量達到行業(yè)頂尖水平，Ra值小于 0.5nm的超光滑表面，晶面偏差嚴格控制在±1°以內，并支持單面/雙面拋光定制，為外延生長提供完美基底。
定制類型多樣
（011）晶面襯底片提供多種摻雜及載流子濃度選項，當前可提供UID、Sn、Mg/Fe 三種摻雜類型，適配多樣化器件設計需求。
每一項參數(shù)的背后，都是鎵仁半導體對工藝細節(jié)的極致追求，讓下游客戶在高功率、高精度器件研發(fā)中無需妥協(xié)。
二、（011）晶面獨樹一幟，引領產(chǎn)業(yè)發(fā)展新方向
作為氧化鎵材料領域的創(chuàng)新晶面選擇，（011）晶面具備多重不可替代的優(yōu)勢，將重塑未來產(chǎn)業(yè)應用格局：
缺陷抑制能力更強
（011）晶面結構天然規(guī)避線形缺陷，減少電場集中與反向電流問題，顯著提升功率器件的擊穿性能與使用壽命，尤其適配超高壓應用場景。
電接觸性能更優(yōu)
（011）晶面表面勢壘高度低于傳統(tǒng)（001）晶面，更易實現(xiàn)低電阻歐姆接觸，降低器件導通損耗，為5G基站電源、特高壓輸變電設備等高效能場景提供支撐。
外延兼容性更廣
（011）晶面與 AlGaO、InGaO 等多元固溶體材料的晶格失配度小于 1.5%，可穩(wěn)定生長高質量外延層，為研發(fā)多波段深紫外探測器、量子阱激光器等新型器件奠定基礎。
三、持續(xù)創(chuàng)新不止，彰顯科研硬核實力
（011）晶面襯底片的成功研發(fā)并非偶然，而是鎵仁半導體長期技術積累的必然結果。依托具有自主知識產(chǎn)權的鑄造法及自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備，公司聚焦行業(yè)痛點，已順利實現(xiàn)多個尺寸、不同晶面氧化鎵單晶的穩(wěn)定生長與導電型摻雜突破，持續(xù)展現(xiàn)創(chuàng)新”鎵“速度。
2025年，鎵仁半導體不僅創(chuàng)造了從2英寸到8英寸每年迭代一個尺寸的行業(yè)記錄，更是僅用短短一年時間實現(xiàn)了VB法從零開始到6英寸單晶的突破，有效填補了國內相關領域空白，為我國第四代半導體材料國產(chǎn)化替代提供了關鍵支撐。
此次（011）晶面產(chǎn)品的推出，進一步豐富了公司氧化鎵襯底產(chǎn)品矩陣，也印證了公司在晶體生長、工藝優(yōu)化、性能調控等核心環(huán)節(jié)的全鏈條技術實力。從實驗室到產(chǎn)業(yè)化，鎵仁半導體正以持續(xù)的技術突破，為第四代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展賦能，助力中國在全球半導體領域占據(jù)更核心的位置。
（011）晶面襯底片新品現(xiàn)已開放樣品申請與合作咨詢，誠邀科研機構、器件廠商攜手，共同探索氧化鎵的應用潛能，共創(chuàng)半導體產(chǎn)業(yè)新價值！
（來源：鎵仁半導體）
