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IFWS&SSLCHINA 2025：氮化物材料生長及光電技術分會最新報告出爐！

標準 | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項

IFWS2025：氮化物半導體固態(tài)紫外技術及應用分會最新報告出爐！

東微半導體與晶湛半導體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應用

最新報告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術論壇——驅動能效革命，賦能AI芯動力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領域的機遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學王嘉：通過鎂插層增強氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導體材料與器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學技術大學孫海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀

能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產學研融通創(chuàng)新

上海大學張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進展

年產值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項目，已全面達產

中國科學院半導體所氮化物片上光通信集成系統(tǒng)研制取得新進展

2025云南晶體大會前瞻|山東大學張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展

2025云南晶體大會前瞻|甬江實驗室陳荔:氮化鋁半極性面外延調控及其在深紫外LED中的應用

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王新強：氮化物半導體的大失配外延及其器件研究

國新辦發(fā)布會肯定成都科創(chuàng)成果，實驗室全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點名

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學院長春光機所蔣科：基于三族氮化物半導體異質結的光憶阻器研究

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構建高效人工視覺系統(tǒng)

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結構堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|南京大學修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

廈門大學&廈門市未來顯示技術研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側壁鈍化新方法

2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術演進趨勢研究

北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

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