近期，在國際頂級學(xué)術(shù)會議與權(quán)威期刊上，來自清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、電子科技大學(xué)的研究團隊相繼發(fā)表了多項射頻功率放大器的重磅成果。這些工作均依托蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱"能訊"）發(fā)布的 0.25 μm GaN工藝平臺完成。

清華大學(xué)：A GaN SLCG-Doherty-Continuum Power Amplifier Achieving > 38% 6dB Back-Off Efficiency over 1.35 to 7.6GHz

     清華大學(xué)研究團隊依托能訊0.25μm GaN工藝，在集成電路頂級會議ISSCC 2025發(fā)表關(guān)于超寬帶高效率功率放大器的最新成果。該成果突破了傳統(tǒng)Doherty功放帶寬與回退效率難以兼顧的瓶頸，成功實現(xiàn)突破性的SLCG-Doherty-Continuum PA (SDCPA)架構(gòu)。該芯片面積為 2.1×1.6mm?，在1.35–7.6 GHz 超寬頻段內(nèi)，分?jǐn)?shù)帶寬高達140%，在6 dB 回退點效率達38–56%，在7.5 dB 回退點效率也保持在 37–54%。

復(fù)旦大學(xué)：Highly Efficient Doherty Power Amplifier With Peak/Backoff-Joint Matching

     復(fù)旦大學(xué)團隊依托能訊0.25μm GaN工藝，在權(quán)威期刊《Science China Information Sciences》發(fā)表了關(guān)于高效Doherty功率放大器的最新研究成果。該研究針對傳統(tǒng)Doherty放大器在輸出功率回退點效率不足的難題，創(chuàng)新性地提出了峰值/回退聯(lián)合匹配技術(shù)。該Doherty 功率放大器在3.6 GHz峰值點實現(xiàn)了43.3 dBm飽和輸出功率、69.3%的漏極效率（DE）、60.1%的功率附加效率（PAE），并在8.5 dB回退點下實現(xiàn)了52.9%的DE和48.7%的PAE。

電子科技大學(xué)：A 0.03 to 6 GHz Gallium Nitride Monolithic Microwave Integrated Circuit Power Amplifier with Improved OIP3/Pdc using Nonlinear Cancellation

    電子科技大學(xué)團隊依托能訊0.25μm GaN工藝，在《Chinese Journal of Electronics》發(fā)表了高線性度功率放大器成果。研究通過非線性抵消理論與柵極偏置優(yōu)化，突破了傳統(tǒng)超寬帶高功率放大器效率與線性度的權(quán)衡。在2.6 GHz下，三階互調(diào)最優(yōu)點（IM3-S）調(diào)至0.9 dB OBO時實現(xiàn)-33.8 dBc 的IM3、39.5 dBm 的Pout、41%的PAE；在5.6 GHz下，IM3-S調(diào)至2.2 dB OBO時實現(xiàn)-35.6 dBc 的IM3、37.7 dBm的 Pout、52% 的PAE 。兩頻點下OIP3/Pdc分別達到39和128。

     能訊將自身定位為先進射頻氮化鎵制造中心，這些成果的發(fā)表展示了其 0.25 ?m GaN工藝平臺（DG25xx系列）在超寬帶、高效率及高線性功放設(shè)計中的突出優(yōu)勢，也彰顯了產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)協(xié)同創(chuàng)新的價值。

     能訊于2025第一季度推出了最新的DG2503平臺，平臺在DC-18GHz頻段內(nèi)綜合性能出眾。該平臺采用0.25 ?m制程，以4吋SiC為襯底，減薄厚度為75 ?m，在28V應(yīng)用電壓條件下，其功率放大器（PA）的閾值電壓（Vth）為-2.8V，飽和電流（Imax）達1350 mA/mm，擊穿電壓超200V。PA在10GHz及18GHz兩個典型應(yīng)用頻點的射頻大信號性能如表一所示；圖一展示了10GHz、18GHz最大效率（MXE）匹配點的大信號功率掃描曲線，值得一提的是，加入二次諧波匹配后，10GHz及18GHz的功率附加效率（PAE）分別達到了80.4%和69.7%，在行業(yè)中展現(xiàn)了較強的競爭力。

表一：DG2503平臺10GHz、18GHz射頻大信號性能

 圖一 (a) 10GHz MXE點功率掃描曲線（b）18GHz MXE點功率掃描曲線

     回顧歷史，能訊自2021年推出第一代0.25 ?m線寬的工藝平臺以來，平臺的射頻性能已經(jīng)歷多次迭代，以18GHz頻點28V應(yīng)用的性能為例，如圖二所示，在未進行二次諧波匹配的情況下，平臺PA漏極效率（DE）由50%提升至63%，同時，功率密度由6W/mm提升至7.7W/mm，提升幅度為28.3%，補充說明的是，這一過程中，其功率增益（Gp）也提升了2dB以上，從而實現(xiàn)了效率、功率密度、增益的全面提升。

圖二 DG25xx系列平臺性能演進情況

     能訊的DG25xx系列工藝平臺在注重性能的同時，更關(guān)注可靠性。GaN HEMT器件的Power droop問題一直以來都是行業(yè)痛點，即器件在使用過程中會遭遇功率退化的問題，嚴(yán)重的情況下退化幅度可超1dB。如圖三所示，能訊通過自有技術(shù)，實現(xiàn)了對“Power droop”的抑制：器件在經(jīng)歷了504小時DC-HTOL（肖特基結(jié)溫度225℃）的應(yīng)力后，器件的功率幾乎沒有退化。這一成果的實現(xiàn)，對選擇在能訊進行晶圓代工的客戶無疑是更加友好的，代表著客戶拿到的產(chǎn)品在使用過程中其性能將更加穩(wěn)定。

圖三 DG25xx系列平臺DC-HTOL后功率退化情況

     同時，經(jīng)過建模技術(shù)的多次迭代，DG2503的模型的準(zhǔn)確度也有了大幅的提升，顯著提升了設(shè)計成功率。如圖四所示，為某外部合作伙伴授權(quán)展示的寬帶MMIC的設(shè)計仿真和實測對比數(shù)據(jù)。憑借模型的高準(zhǔn)確度，該合作伙伴實現(xiàn)了一次設(shè)計流片即成功，降低了反復(fù)迭代的時間成本，加快了產(chǎn)品上市周期。目前DG2503的PDK中已包含功率放大器、低噪聲放大器、射頻開關(guān)器件等有源器件以及電容、電阻、電感等無源器件。

圖四 DG2503平臺MMIC設(shè)計仿真和實測對比案例

(a) PAE (b)Pout

     未來，能訊將繼續(xù)深化與國內(nèi)外頂尖科研院所的合作，持續(xù)推進工藝技術(shù)的優(yōu)化升級，朝著更高頻率、更高功率密度、更高線性度的方向持續(xù)突破，為射頻芯片產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展提供更加強大的技術(shù)支撐和平臺保障。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山高新區(qū)，是國內(nèi)領(lǐng)先的射頻氮化鎵（GaN）芯片制造服務(wù)商。公司自主研發(fā)構(gòu)筑了完整的氮化鎵功率芯片技術(shù)體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、 0.15μm、0.1μm工藝制程能力。豐富的射頻產(chǎn)品線覆蓋了電信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源、消費電子及各類通用市場的應(yīng)用，為衛(wèi)星通信、移動終端、氣象雷達、寬頻帶通信等射頻領(lǐng)域提供高效高功率半導(dǎo)體解決方案。