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標(biāo)準(zhǔn) | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項(xiàng)

IFWS2025：氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會最新報(bào)告出爐！

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

最新報(bào)告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇——驅(qū)動能效革命，賦能AI芯動力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層增強(qiáng)氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體材料與器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀

能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進(jìn)展

年產(chǎn)值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目，已全面達(dá)產(chǎn)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所氮化物片上光通信集成系統(tǒng)研制取得新進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|甬江實(shí)驗(yàn)室陳荔:氮化鋁半極性面外延調(diào)控及其在深紫外LED中的應(yīng)用

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

國新辦發(fā)布會肯定成都科創(chuàng)成果，實(shí)驗(yàn)室全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學(xué)院長春光機(jī)所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

廈門大學(xué)&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢研究

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

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